紫外LED封装新进展，集中在深紫科技、稻源龙芯两企

UVLED风向 · 2023-12-30

行家说UV 导读：

行家说UV从国家知识产权局了解到，紫外LED封装技术有新进展，集中在深紫科技、稻源龙芯两企。

一种高光源利用率的紫外LED封装结构及制备方法

其公开了一种高光源利用率的紫外LED封装结构及制备方法，涉及封装结构制备技术领域，包括玻璃基板与三维陶瓷基板，玻璃基板与三维陶瓷基板之间设置有两组键合层，键合层的一侧设置有微透镜阵列，玻璃基板的内部设置有封装腔体，封装腔体的内部设置有封装组件，封装组件的内部设置有LED芯片。

该发明提出的高光源利用率的紫外LED封装结构及制备方法，主要针对性设计图形化封装基板结构，将反射到基板上的光源再次向上高效反射，最大化减少基板对光源的吸收，实现了提高紫外LED芯片出光效率的同时降低芯片内部温度的效果。

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一种深紫外发光二极管封装器件及其制备方法

深紫科技提供了一种深紫外发光二极管封装器件，包括基板、安装于基板上的反射模块和安装于基板上的深紫外发光二极管芯片，基板与反射模块形成一向上的开口，深紫外发光二极管芯片位于开口内，其中，深紫外发光二极管封装器件还包括设置于深紫外发光二极管芯片表面上的增透钝化层，增透钝化层完全覆盖基板、反射模块以及深紫外发光二极管芯片，增透钝化层的折射率小于深紫外发光二极管芯片中衬底材料的折射率；

该发明使深紫外发光二极管芯片发射的光线直接经过增透钝化层透射至外部，能够在一定程度上避免在深紫外发光二极管芯片空气界面发生全反射的同时，增大了出射光的出光角度，更进一步提高了深紫外发光二极管封装器件的发光功率。

来源：国家知识产权局、行家说UV整理

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