士兰、兆驰半导体公布最新紫外LED研发进展

UVLED风向 · 2023-12-01

行家说UV 导读：

日前，士兰和兆驰半导体公布了最新的紫外LED研发进展。

一种深紫外LED芯片及其制造方法

厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；以及P型半导体层的空穴补偿层，位于外延结构的第一表面。

该深紫外LED芯片利用P型半导体层的空穴补偿层保证了P型半导体层获得较高的空穴浓度的同时，减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。

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一种紫外LED外延片及其制备方法

江西兆驰半导体有限公司本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过设置周期性交替生长的量子阱层和量子垒层，其中，量子阱层和量子垒层均为AlGaN层，生长量子阱层的过程中，控制Al组分进行三个阶段的变化。

第一阶段，控制Al组分由初始组分逐渐降低至第一组分；第二阶段，控制Al组分至少存在一个变化周期，其中，一个变化周期为由第一组分阶段性增长至第二组分，稳定预设时间后，逐渐降低至第一组分；第三阶段，控制Al组分由第一组分阶段性增长至初始组分，具体的，由于引入一个新型的量子阱结构，既可以提高限制电子溢流的作用，同时可以调控阱垒的极化场，在一定程度上补偿原有量子阱内部的反向极化电场，最终达到提高内量子效率的目的。

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