全新材料,韩国一团队紫外LED有新进展

UVLED风向 · 2023-11-25

行家说UV 导读:

此前,韩国浦项科技大学一研究小组利用六方氮化硼(hBN)生产出了DUV LED,这是一种全新的材料。

根据了解,开发DUV LED的研究一直很活跃,主要使用氮化铝镓(AlxGa1-xN)。然而,这种材料有一个基本的局限性,即随着波长变短,其电致发光性能会迅速减弱,因此制造可在紫外光频率下使用的LED仍是一项挑战。

Jonghwan Kim教授研究团队使用的六方氮化硼(hBN)是一种范德华(vdW)层状材料,就像石墨一样。它通常被称为"白色石墨烯",因为其单层结构与石墨烯相似,而且是透明的。与AlxGa1-xN不同,它能以DUV频率发光,因此被认为是开发DUV LED的有效新材料。然而,由于其带隙较大,很难注入电子和空穴,因此难以制成LED。

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为此,研究人员通过在hBN纳米薄膜上施加强电压,诱导隧道机制,将电子和空穴注入hBN带边。这样,研究人员就成功地制造出了一种基于由石墨烯、hBN和石墨烯堆叠而成的范德华异质结构的LED器件。随后进行的紫外显微光谱分析证实,新制造的器件能发出强烈的紫外光。

Jonghwan Kim教授说:"开发新频率的新型高效LED材料可以成为开创前所未有的开创性光学器件应用的起点。"这项研究首次展示了基于氢化硼的深紫外LED,意义重大。

他补充说:"与传统的AlxGa1-xN材料相比,这种新材料的发光效率明显更高,而且能够实现微型化。预计未来它将在病毒和细菌灭菌系统、半导体器件制造工艺和短距离无线通信等领域得到高度应用。"

来源:eurekalert.org、行家说UV整理

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