高功率紫外LED，来自这一团队

行家说UV 导读：

日前，武汉大学和宁波安纳半导体公司的研究人员在提高深紫外LED的光电性能方面取得了重大进展。

联合研究团队提出在深紫外LED中采用超薄隧道结(UTJ)技术平台，以解决高串联电阻和深紫外光吸收的难题，并且开发出了275 nm高功率UTJ深紫外LED，实现了迄今为止最低的5.7 V电压，团队解释这得益于空穴注入电损耗最小化。

众所周知，深紫外光引人入胜的特性及其潜在应用使其成为基础研究的热门课题。研究发现，深紫外光的波长范围（200-280纳米）能破坏细菌和病毒的DNA和RNA，在杀菌和消毒方面非常有效。然而，由于深紫外LED的光输出功率低、工作电压高，目前的LED集成深紫外光源很难达到有效照射距离和照射时间的灭菌性能指标。

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为了解决这些问题，武汉大学的研究人员建议在深紫外LED中引入UTJ作为直接接触层，以最大限度地减少电损耗。上图显示了在AlN/Flat Sapphire衬底模板上生长的深紫外LED外延结构。

研究团队观察到UTJ高温生长过程中形成了镁硅共掺杂的n-AlGaN，并发现UTJ可与高功函数镍/金电极形成欧姆接触。此外，他们还利用齐纳二极管、氟树脂和优化设计的玻璃透镜封装了UTJ深紫外LED，从而提高了其可靠性和光学性能。

通过研究他们开发了一种集成了120个UTJ深紫外LED芯片的高效灭菌深紫外光源，并进行了深紫外光源对多种病原微生物的杀灭效果和流水灭菌实验。该研究团队表示，这一研究结果有望提高深紫外光源在水/空气净化和消毒中的利用率。

来源：compoundsemiconductor

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