马鞍山杰生：公开多个紫外LED发明专利

行家说UV 导读：

近期，行家说UV通过企查查了解到，马鞍山杰生半导体有2项紫外LED相关专利在近期有进入公布阶段。

一种多节多波段紫外LED的制备方法及其紫外LED与应用

6月13日，马鞍山杰生公开了一种多节多波段紫外LED的制备方法及其紫外LED与应用发明专利。

据了解，该发明公开了一种多节多波段紫外LED的制备方法及其紫外LED与应用，涉及紫外发光二极管技术领域。在衬底上预通入金属铝源及V族反应物，固定温度下分解形成AlN缓冲层；提高生长温度，生长非掺的AlN层，并在此基础上生长一层N型AlwGa1wN层；将温度调至生长量子阱的温度，在N型AlwGa1wN层上生长AlGaN/AlGaN多量子阱结构；在已经长好的多量子阱结构上生长一层P型AlGaN电子阻挡层和空穴注入层；重复多次生长形成多个[AlGaN/AlGaN多量子阱+P型AlGaN层]组合的多节紫外LED结构。

该项发明的多波段紫外LED实现同时具备杀菌、光疗以及光固化等功能。

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一种提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构

除此之外，6月9日，马鞍山杰生还公开了一种提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构发明专利。

该发明公开一种提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构，包括衬底、AlN缓冲层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN多量子阱发光区、AlGaN电子阻挡层、超晶格界面量子点结构p型空穴注入层和p型GaN欧姆接触层；超晶格界面量子点结构p型空穴注入层包括多个周期的p型AlN超晶格垒层、GaN量子点层和p型AlGaN超晶格阱层；GaN量子点层包括多个GaN量子点；多个GaN量子点分布在p型AlN超晶格垒层和p型AlGaN超晶格阱层的交界面处。

这一发明可以有效的降低高Al组分的p型空穴注入层中Mg受主激活能，提高p型空穴注入层中的空穴浓度，从而提高器件的载流子注入效率。

来源：企查查、行家说UV整理

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