新方法，三项UV LED新发明专利公布

UVLED风向 · 2023-06-06

行家说UV 导读：

近日，行家说UV了解到华引芯、西安电子科技大学芜湖研究院、邦钰机电三家企业公布了发明新专利。

华引芯：一种制备LED瞄准器的方法及支架制备方法

据了解，该发明提供了一种制备LED瞄准器的方法，在芯片上加工出多道发光区；将芯片切割开，并倒膜至导电膜上；检测芯片的光电性能，并剔除异常品，然后将相同档位的良品芯片转移至蓝膜上；将芯片固定在固晶区，并进行焊接；将每道发光区的Pad与支架的焊盘进行焊接；将UV膜贴附于芯片的发光区，并进行固晶按压；在金线上点涂胶水，然后使用烤箱，完成胶水的固化；将芯片进行切割、去胶，并进行测试包装。

华引芯指出，通过设计特定配比的胶水包裹金线，杜绝光线照射到金，并在胶水中添加物质表面呈哑光材质，降低瞄准光的反射，保证金线不对红光造成反射。此外，用胶水覆盖芯片表面核心发光区，保证红点核心发光区高洁净度，提高了瞄准器件的性能和可靠性。

西安电子科技大学芜湖研究院：一种基于Mg扩散法的UV-LED器件结构及其制备方法

据其介绍，公开了一种基于Mg扩散法的UVLED器件结构及其制备方法，涉及半导体领域，包括从下至上依次设置的衬底、氮化镓成核层、铝镓氮缓冲层、N型铝镓氮层、N型欧姆电极、多量子阱层、AlxGa1xN电子阻挡层、PAlGaN层、PGaN层、PGaN高掺杂层和P型欧姆电极，其中，还包括N型欧姆电极。

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另外，西安电子科技大学芜湖研究院还公开了其制备方法，通过扩散的方式使得Mg更好地取代Ga位，减少了填充类型的Mg原子，使得并入的Mg原子大部分处在Ga位，提高了处于Ga位Mg原子的比例，Mg的电离率相应增加；取代Ga位的Mg比例增加，使得电离能低的Mg原子比例增加Mg的电离率相应的提高；而且Mg扩散法形成的重掺杂PGaN层的高空穴浓度有利于载流子隧穿，形成比接触电阻率低的欧姆接触。

邦钰机电：一种UV与LED可互换的电子电源

邦钰机电介绍，该发明只要涉及电子电源领域，尤其涉及一种UV与LED可互换的电子电源；所述UV与LED可互换的电子电源包括：底板，底板的表面对称开设有盲孔。

同时该发明提供的UV与LED可互换的电子电源，对内部元器件进行检修时，按压连接块，使卡块与卡槽分离，通过第二弹簧的推力，将防护壳向上推起，使卡块与卡槽处于不同的水平面，进而将防护壳与底板分离，在检修结束后，将导向杆与盲孔插接、卡块与卡槽插接、底板与防护壳配合连接，通过导向杆与盲孔插接、卡块与卡槽插接，对防护壳进行水平、竖直方向的限位，使底板与防护壳配合连接稳定，实现了防护壳的快速拆装，便于内部元器件的检修。

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