正式启动，紫外又一国家重大研发项目

行家说UV导读：

4月6日，由北京大学等9家单位牵头的“AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）” 项目正式启动，该项目于2022年11月获批立项。

据了解，全球范围的AlN单晶材料制备技术几乎与碳化硅同时起步，由于AlN单晶衬底的生长技术难度大、尺寸偏小、位错密度高、紫外透过率较差等，与较为成熟的SiC、GaN产业链相比，AlN的产业化应用才悄然开始，国内AlN材料研发起步较晚，并且十多年以来欧美任意尺寸的AlN单晶衬底对中国一直实施禁运。

行家说UV在梳理中发现，目前国内有能力生长出2英寸AlN单晶的企业／研发机构极其有限，如北京大学、中国电子46所、奥趋光电都在从事该方面的研究，并有各自的进展。

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在2021年9月，奥趋光电就宣布——2英寸（Φ50.8 mm）高质量氮化铝单晶衬底小批量量产，2022年12月其更实现了氮化铝（AlN）晶体从 2 英寸到 3 英寸的迭代扩径生长，制备出了直径达 76 mm 的铝极性 AlN 单晶锭及 3 英寸衬底样片。

奥趋光电制备的2英寸AlN单晶锭（左）和3英寸AlN单晶锭（右）

2021年10月，松山湖材料实验室第三代半导体团队和北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心王新强教授团队共同研制出4英寸无开裂高质量氮化铝单晶模板。

中国电子46所 高质量AlN单晶片。(a)1英寸晶片；(b)2英寸晶片

在2023年，中国电子科技集团公司第四十六研究所宣称近年来在高质量AlN籽晶培育、传热传质动态控制、长时间稳定生长等方面取得了重要突破，生长的AlN单晶结晶质量得到了大幅度提升。目前，中国电科四十六所可以稳定制备1英寸及2英寸高质量AlN单晶衬底，同时探索更大尺寸单晶的生长工艺。

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