赋能高端 UVC-LED新基建！深紫科技计划「三招」撬动

UVLED风向 · 2023-01-10

行家说UV导读：

日前，在2022年行家说·探索紫外LED产业「新坐标」高峰论坛上，深紫科技带来了《为紫外赋能高端 UVC-LED新基建》的主题演讲，从新技术、新器件、新方案三个方面阐述新基建，并介绍了深紫科技在追求高光效、高可靠性、高一致性、低漏电，做好用的UVC-LED光源方面做出的大量工作。

新技术：晶体控制、电极提亮及光效提取

深紫科技市场技术总监陈景文提到，构建UVC行业的新基建中，很重要的一个单元就是新技术，并分享深紫科技高质量芯片生长过程中的三项技术：

首先是“基于未愈合NPSS/AlN的AlGaN外延晶体质量控制技术”。据深紫科技研究人员数据显示，AlGaN 102面的晶体质量不会持续提高紫外LED的光功率，当晶体质量太好时，会影响到AlGaN的掺杂浓度，对老化维持率产生不利作用。而当底层AlN 102在350-360左右时，AlGaN 102达到最小值；当底层AlN 102在450左右时，AlGaN 102达到最优值。基于此，深紫科技采用使用NPSS衬底技术生长AlN，在AlN未完全愈合时开始生长AlGaN，通过调整AlGaN生长条件，加速愈合以此实现AlGaN外延晶体质量的控制。

接着是“P-AlGaN透明电极提亮”技术。UV-C行业内此前已经有P-AlGaN的相关研究，而2022年，深紫科技也将“p型AlGaN代替p型GaN技术”应用到了UV-C芯片产品中去，大大提升了器件的发光亮度。

最后是“光提取效率（LEE）提升”技术。深紫科技在蓝宝石的正面和背面进行纳米光刻、干法/湿法刻蚀，制备出高光提取效率的单/双层NPA，且单/双层NPA器件光功率分别增强~13.0%/~28.3%，由此降低深紫外LED封装光学窗口，同时进一步增强了发射光的耦合能力。

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新器件：全场景、全生命周期、高可靠性构建UVC-LED新基建

此次演讲，深紫科技带来三款2023年即将推出的新一代UVC-LED芯片：CFAS20M、CFAS20A和CFAS45A。

陈景文介绍，2023年CFAS20M 0820mil芯片可以覆盖12~15mW@40mA区间，CFAS20A 2020mil芯片可覆盖30~35mW@100mA区间，CFAS45A 4545mil芯片可以覆盖100~115mW@350mA。三款芯片几乎可以实现所有应用场景的全覆盖。

此外，深紫科技一直聚焦于UVC-LED产品在高温状态下的可靠性，并在2022年推出了“工业级”UVC-LED产品，在高温环境（60℃）下长期工作寿命得到显着提升至1000h@L85以上。

新方案：点、线、面紫外模组覆盖各类场景

作为深耕紫外杀菌多年的方案提供商，深紫科技的紫外UV杀菌模组标准化方案能够提供覆盖电光源、线光源、面光源三种形态，真正做到灵活高效，适用于各个不同的消杀场景。

深紫科技的点光源方案在40mA电流下，能够实现10~12mW的高功率输出，实现了光功率的跨越式提升。同时，在深紫的全产业链赋能之下，能够实现每天20000个模组的交付。而在线光源及面光源模组方面，深紫的紫外UV杀菌模组方案也能够在扫地机器人、消毒柜等应用场景实现汞灯的替代。

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