正式立项，这次是紫外LED理想衬底材料

UVLED风向 · 2022-12-08

划重点

2022行家说UV LED大会

倒计时 8 天

近日，科技部公布了“十四五”国家重点研发计划重点专项立项信息，北京大学、奥趋光电等9家单位参与的国家重点研发计划重点专项“氮化铝单晶衬底制备和同质外延关键技术”获批立项。

深紫外光电器件理想衬底材料

作为新一代战略性电子材料，AlN具有超宽禁带宽度（6.2 eV）、高热导率（340 W/(m∙K)）、高击穿场强（15.4 MV/cm）、良好的紫外透过率、化学和热稳定性等优异性能，是高温、高频、高功率、高压电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料，特别适合于制造高温、高频、高功率及高压电力电子器件、射频通信器件、深紫外光电子器件等。

据了解，全球范围的AlN单晶材料制备技术几乎与碳化硅同时起步，由于AlN单晶衬底的生长技术难度大、尺寸偏小、位错密度高、紫外透过率较差等，与较为成熟的SiC、GaN产业链相比，AlN的产业化应用才悄然开始。

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国内企业已实现AlN单晶衬底量产

国内AlN材料研发起步较晚，并且十多年以来欧美任意尺寸的AlN单晶衬底对中国一直实施禁运。据行家说UV了解，目前全球有能力生长出２英寸AlN单晶的企业／研发机构极其有限，如Crystal IS、奥趋光电、HexaTech等。

2021年9月，奥趋光电宣布——2英寸（Φ50.8 mm）高质量氮化铝单晶衬底小批量量产。

UTI-AlN-050B系列2英寸高质量AlN单晶衬底及其他各尺寸AlN单晶衬底

而在2021年10月，松山湖材料实验室第三代半导体团队和北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心王新强教授团队共同研制出4英寸无开裂高质量氮化铝单晶模板。

此次“氮化铝单晶衬底制备和同质外延关键技术”重点专项的立项，对AlN单晶材料自主可控及其在高功率/高压/高频/高温电力电子器件、射频通信器件、深紫外光电子器件等诸多领域的商业化发展及国防军工领域的关键应用具有重大意义。

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