官宣，这家紫外企业融资5000万！

UVLED风向 · 2022-07-07

插播：优紫科技、华引芯、中科潞安、芯晶宇已正式参编《2022UV LED产业调研白皮书》

7月4日，北京中博芯半导体科技有限公司宣布融资5000万元，由东莞中民控股和方正和生追加和战略投资。

获广东光大、北京大学等多方支持

据了解，北京中博芯半导体科技有限公司在北京市顺义区第三代半导体产业园建设有万级、千级和百级超净厂房，拥有深紫外LED外延用高温MOCVD、大尺寸Si基GaN外延用MOCVD、4英寸芯片线，以及各类半导体分析测试设备。

2020年9月，在北京大学、北京市及顺义区人民政府和广东光大集团的大力支持下创立，是一家专业从事氮化物宽禁带半导体材料和芯片研发、生产与服务的高技术企业。目前可提供UVA、UVB、UVC等全波段UV-LED系列产品和适用于功率电子和射频电子器件的Si基GaN外延片，并可提供外延片定制、芯片代工和半导体测试分析等技术服务。

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蓝宝石衬底上AIN模版产品性能达到新高度

AlGaN基紫外探测技术是继红外探测技术之后发展起来的新型光电探测技术，具有体积小、重量轻、耐高温、功耗低、量子效率高和易于集成等优点，在国防、信息、能源、环境监测和公共卫生等领域具有极广阔的应用前景。

日前，中博芯成功制备出蓝宝石衬底上低缺陷密度AlN模板，XRD摇摆曲线半高宽(002)面≤150 arcsec，(102)面≤250 arcsec，膜厚≥2μm，面内均匀性≤1.5%，裂纹≤1mm。

据了解，AlGaN基UV-LED的电光转换效率和日盲紫外探测器的暗电流强烈依赖于AlN外延层的质量。在产业界，相比于AlN单晶衬底，蓝宝石衬底上AlN模板价格优势明显，因此，高质量AlN模板是AlGaN基UV-LED和日盲紫外探测器制备的优选材料。

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