爱思强、中晟光电等MOCVD厂商新动作,涉及异质结构生长、降本提产
UVLED风向 · 2022-06-08
随着深紫外LED应用的不断推广,对功率转化效率,良品率,及生产成本等提出了更高的要求。针对深紫外LED外延生长方面的难题,爱思强及中晟光电两大MOCVD设备厂商公布了最新动态:
爱思强向博伊西州立大学提供 CCS 3x2 MOCVD系统
近日,德国沉积设备制造商 Aixtron SE表示,子公司 Aixtron Ltd 将从其用于化合物半导体材料的紧密耦合喷头金属有机化学气相沉积 (CCS MOCVD) 产品系列中向博伊西州立大学提供沉积系统。
据了解,此次提供交付给博伊西美光材料研究中心的 CCS 3x2 系统具有 3x2 英寸晶圆的容量,最高工作温度为 1400°C,这将能够在蓝宝石上沉积石墨烯和六方氮化硼 (hBN)作为氮化镓 (GaN) 基紫外发光二极管 (UV LED) 的新型结构。此外,CCS 3x2 系统还包括 Aixtron 专有的 ARGUS 和 EPISON 原位计量技术,是唯一可以配置用于组合 2D 和 GaN 研究的系统技术,同时还允许异质结构的生长。”
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中晟新推出配置 4 个反应腔的ProMaxy® UV 的机型
针对深紫外 LED 外延生长 AlN(铝氮)的材料晶体质量,表面形貌特征,及裂纹控制,对提高功率转化效率和良品率具有重大的影响,中晟光电在 ProMaxy® UV 自主创新的核心技术的基础上,对反应腔的温场控制,反应气体的传输及均匀分布等技术进行了进一步创新和优化,建立了既可外延生产高质量的 AlN 基板,在同样的机台情况下,2英寸片产能提高到15片的MOCVD核心技术,同时该技术又可降低生产成本。
为了进一步降低设备成本和提高产能,中晟光电新推出配置 4 个反应腔的ProMaxy® UV的机型,该机型既可每腔独立外延生产深紫外 LED 全结构,也能分腔集成外延生产 AlN 基板和 LED 结构。 据悉,目前国内多家客户均已采用了中晟光电新的 MOCVD 技术,在生产中可获得如表面特征 Rq
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