鼎镓半导体实现国内首张氮化镓六英寸深紫外LED外延的设计流片

图1 六英寸氮化镓深紫外LED外延片

嘉兴鼎镓半导体有限公司（以下简称“鼎镓半导体”）于2022年1月实现了国内首张6英寸高功率深紫外LED外延的结构设计和生长流片，完成了工艺和配方的量产调试，为鼎镓半导体单片100mW以上高功率深紫外灭菌芯片的规模量产打下了坚实的基础，将传统的50mW以上的单片高功率深紫外LED芯片的生产成本降低到原有价格的三分之一，同时将高功率固态半导体深紫外DUV激光器光源的研制生产变为了可能。

图2 鼎镓半导体100mW高功率灭菌模组（单颗100mW）

表1 鼎镓半导体100mW高功率灭菌模组主要技术指标

鼎镓半导体在普通蓝宝石衬底的基础上，创造性的引入了全新的半导体材料与AlGaN材料结合的方式，通过超晶格结构使用两类半导体化合物材料优势互补，克服了大尺寸深紫外外延片在重铝掺杂的情况下容易出现的晶格失配的缺陷，突破了传统AlGaN外延PIN结构的限制，实现了6寸外延生产工艺的创造性突破。经第三方权威机构检测，外延一致性达到了97%，峰值波长在265nm，输出光功率不低于1500a.u.，核心buffer层厚度突破了4μm，在各项核心指标上均大幅优于现有市面上的深紫外LED外延。

下一步，鼎镓半导体的大尺寸外延样片将送交国内相关国家级重点试验室和新加坡国家级半导体检测机构完成检测认证，随后将和英特尔开展产品上的深度合作。

嘉兴鼎镓半导体有限公司总部位于浙江省嘉兴市，是一家以第三代半导体外延片、芯片设计制备及相关应用产品开发为主的优势民企，主要产品是以第三代半导体材料为主的GaN紫外光电半导体芯片（深紫外LED芯片）、深紫外探测器、氮化镓功率芯片等，并向国内外市场提供上述高新技术产品。公司作为一家年轻的半导体和半导体应用企业，得益于国家大力实施创新驱动和自主可控战略，在突破现有技术封锁的前提下，紧跟国际半导体产业发展步伐，深耕产品研发创新，坚定国产芯片自主，争做国内最专业的氮化镓芯片供应商。