高效P型掺杂新方法，内量子效率达48.13%，深紫外LED芯片技术获突破

UVLED风向 · 2022-01-19

日前，中科潞安负责的山西省科技重大专项“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目完成了预期指标，取得关键技术突破。

据了解，该项目主要是系统研究氮化铝模板材料的制备工艺，提出了高效P型掺杂新方法，突破了极化诱导掺杂、溅射退火氮化铝模板和基于芯片微纳结构的高效光提取等关键技术，深紫外LED芯片的出光效率大幅提升。经第三方检测，制备的深紫外LED灯珠发光波长小于275nm，内量子效率达到48.13%，光功率达到46.39mW，实现了深紫外LED芯片、灯珠及应用产品批量化生产和销售。

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据“行家说UV”了解，根据该项目开发的高效芯片已广泛应用于山西省长治市高铁站、机场等示范工程；2021年11月19日，长治市市场监督管理局批准发布《消毒用UVC LED术语与定义》、《消毒用UVC LED芯片规格分类》、《UVC LED消毒产品安全操作规程》、《紫外LED消毒机器人性能评价要求》、《公共场所用紫外LED消毒系统验收规范》等5项紫外LED消毒相关地方标准，并于2022正式启用。

来源：山西省科技厅、行家说UV整理

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